1999年
成立时间
427073.61万元
注册资本
武汉高德红外股份有限公司创立于1999年,是专门从事红外探测器芯片、红外热成像产品、综合光电系统及完整武器系统科研生产的民营上市公司。
高德红外工业园位于“中国光谷”,占地200余亩,员工4000余名,已建成全球覆盖从底层红外核心器件到十几个分系统直至顶层完整武器系统全产业链的军民两用产品研制基地。
作为以红外为主导的高科技公司,高德红外拥有自底层至系统的完整自主技术,并已构建完成从底层红外核心器件,到综合光电系统的全产业链研发生产体系。
说明:专为树立基础品牌形象的企业设计,能直观展示品牌logo、联系方式、品牌介绍及工商注册信息等关键内容,助力企业树立清晰、专业的初步印象。