长鑫存储宣布内存芯片自主制造项目正式投产 10nm级第一代8Gb DDR4亮相

2019年9月20日，长鑫存储宣布，总投资约1500亿元的内存芯片自主制造项目正式投产。其与国际主流DRAM同步的10nm级第一代8Gb DDR4也首度亮相 。

长鑫存储的代表透露，该公司已经完成合肥Fab 1及研发设施建设，月产能2万片，并计划在2020年第二季度将产能提高一倍，达到每月4万片，约占全球内存产能的3%。

长鑫存储还计划建造另外两座晶圆厂以及一些基础设施，为3000名员工及其家人提供住房。