科研人员首次制备出硅—石墨烯—锗晶体管 大量缩短发射结充电时间

中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心的科研人员首次制备出以肖特基结作为发射结的垂直结构晶体管“硅—石墨烯—锗晶体管”。

此次成果论文的第一作者、中科院金属所副研究员刘驰表示，“目前已报道的石墨烯基区晶体管，普遍采用隧穿发射结，然而隧穿发射结的势垒高度，严重限制了该晶体管作为高速电子器件的发展前景。”与已报道的隧穿发射结相比，硅-石墨烯肖特基结表现出最大的开态电流和最小的发射结电容，从而得到最短的发射结充电时间，使器件总延迟时间缩短了1000倍以上，可将器件的截止频率由约1.0兆赫兹提升至1.2吉赫兹。